Relè MOSFET a bassa dispersione

Relè Mosfet
Omron amplia la gamma di moduli relè MOSFET a bassa dispersione. I moduli T di Omron combinano i vantaggi dei relè meccanici e della tecnologia MOSFET.

Omron amplia la gamma di moduli relè MOSFET a bassa dispersione. I moduli T di Omron combinano i vantaggi dei relè meccanici e della tecnologia MOSFET.

Omron Electronic Components Europe ha rilasciato nuove versioni ad alta tensione e alta corrente dei suoi innovativi moduli relè MOSFET in configurazione a T. I moduli T di Omron combinano le eccezionali doti di affidabilità e durata dei relè a stato solido con una corrente di dispersione eccezionalmente bassa: 1 pA o meno. Ciò ne consente l’uso nelle applicazioni di misurazione e in altri contesti in cui in precedenza si preferivano i relè meccanici.

Il nuovo Omron G3VM-61MT presenta una corrente di carico di 800 mA mentre la versione G3VM-101MT offre una tensione di carico di 100 V. A questi modelli si aggiunge la versione ad alto isolamento G3VM-21MT. La corrente di dispersione eccezionalmente bassa di questi dispositivi è frutto dell’esclusiva struttura del circuito a T * che invia la maggior parte della corrente di dispersione verso terra. I moduli T di Omron combinano efficacemente i vantaggi dei relè meccanici con quelli della tecnologia MOSFET, offrendo una soluzione di commutazione senza contatti meccanici precisa, compatta e di lunga durata.

Misurazioni ad alta precisione

Un’applicazione chiave dei moduli riguarda le misurazioni ad alta precisione in tutti i tipi di apparecchiature di test in cui in precedenza venivano preferiti i relè meccanici in virtù della loro bassa corrente di dispersione. Tuttavia, questi dispositivi prevedono una durata molto inferiore a causa dell’abrasione dei contatti che riduce l’accuratezza della misurazione nel tempo. In caso di uso intensivo, può essere necessaria una sostituzione frequente, aumentando i costi di manutenzione.

Dimensioni compatte

Le dimensioni compatte (5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm) dei nuovi prodotti derivano dall’incorporazione del circuito a T nel modulo. I dispositivi sono a montaggio superficiale e sono proposti in modalità SPST. Non richiedono alcuna configurazione. Le caratteristiche di carico elettrico dei nuovi dispositivi sono 800 mA, 60 V per il modello G3VM-61MT e 550 mA, 100 V per il modello G3VM-101MT. Il modello G3VM-21MT offre prestazioni di isolamento eccezionali (meno di -30 dB a 1 GHz) ed è classificato a 200 mA, 20 V.

 

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