IBM e Samsung annunciano un nuovo chip chiamato VTFET, una svolta per i semiconduttori non solo dal punto di vista della progettazione convenzionale, ma anche e soprattutto per le potenzialità in termini di performance e riduzione dei consumi energetici – si stima che VTFET necessiterà fino all’85% di energia in meno.
Sviluppato da un team congiunto di ricercatori dell’Albany Nanotech Complex – uno dei centri più avanzati nell’innovazione dei semiconduttori a livello globale – il rivoluzionario prototipo di IBM e Samsung, nuovo nel design, ha un’architettura a transistor verticale basata sulla superficie di un chip. Questo permette ad un numero esponenziale di transistor di essere impilati in verticale all’interno di un chip, rimuovendo i vincoli di densità ed efficienza energetica degli attuali transistor, che sono disposti orizzontalmente per giacere piatti sulla superficie di un semiconduttore.
VTFET, più prestazioni con meno energia
La riduzione di energia risultante potrebbe portare a significativi miglioramenti nelle prestazioni in svariati ambiti, come:
- le batterie dei telefoni cellulari che potranno durare più di una settimana senza essere caricate, invece che giorni;
- i processi ad alta intensità energetica, come le operazioni di criptomining e la crittografia dei dati, che potrebbero richiedere molta meno energia e avere una minore impatto sull’impronta di carbonio;
- l’espansione dell’Internet of Things (IoT) e dei dispositivi edge che potrebbe essere accelerata – richiedendo meno energia per operare in ambienti difficili, come boe oceaniche, veicoli a guida autonoma e veicoli spaziali.
L’Albany Nanotech Complex e IBM hanno anche collaborato per produrre i transistor a 2nm, basati sui chip più densi e più efficienti dal punto di vista energetico mai realizzati fino ad oggi. Il centro è il risultato di miliardi di dollari di investimenti in R&S sui semiconduttori ed è un hub condiviso tra pubblico e privato per la ricerca e la collaborazione scientifica ed è tra i candidati del governo degli Stati Uniti a sede del National Semiconductor Tecnology Center.
